◇◇新语丝(www.xys.org)(xys4.dxiong.com)(www.xinyusi.info)(xys2.dropin.org)◇◇ 东南大学最年轻教授孙伟锋的72项“发明”欣赏 作者：花好月圆 孙伟锋教授应该是东南大学最年轻的教授了。对孙教授的了解，源于查阅资 料时的偶然发现，在他2007年发表的一篇文章后面有其简介：孙伟锋(1977 - ) ， 男(汉族) ，江苏武进人， 副教授，2003 年和2007 年于东南大学分别获得硕士 和博士学位,已发表论文40 余篇，获得中国专利16 项，主要从事数模混合电路、 功率器件与功率集成电路、高压射频器件等方向的研究。 这个简历是2007年的文章上的，现在孙教授已经是东南大学的正教授了。孙 教授刚博士毕业就已被评为副教授了，看着其40多篇论文以及16项发明专利，令 我等亦是70后人无限的惭愧。我等至今没有一项发明专利，因此，对孙教授的16 项专利格外感兴趣。在中国知识产权网（http://www.cnipr.com/）把孙教授大 名输进去（在“专利搜索”栏选择“发明（设计）人”，在“关键词”栏输入 “孙伟锋”），哇，70多项哟，这哪止16项，看来孙教授真是太谦虚了。这些专 利很多名字都很相似，也有名称相同的专利，真有意思。把几个不符合条件的同 名同姓者去掉，经统计（可能有漏的），申请日从2002年3月1日开始到2009年6 月19日止的专利一共72项，其中孙教授排名第一的有40项，这其中2007年以前 （不包括2007年）的专利17项，这与孙教授2007年的个人简介中的16项不相符。 看来孙教授专利太多， 都记不清楚了。 下面就请大家来欣赏一下孙教授的72项专利吧。根据这些专利的发展趋势， 可以预见，在不远的将来，将会涌现出更多孙教授排名第一的发明专利，我们拭 目以待。 序号 申请日 名称 发明设计人 申请（专利）号 1 2002.03.01 平板显示的驱动芯片用高压器件结构 孙伟锋;夏晓娟;谢亮; 时龙兴 CN200620170897.3 2 2002.03.01 高压P型MOS管 易扬波;孙伟锋;李海松;李杰;徐申;夏晓娟;时 龙兴 CN200620165093.4 3 2002.03.01 高压P型MOS管及其制备方法 孙伟锋;刘侠;戈喆;易扬波;陆生 礼;时龙兴 CN200720035523.5 4 2002.03.01 平板显示的驱动芯片用高压器件结构及其制备方法 夏晓娟; 谢亮;孙伟锋;易扬波;陆生礼;时龙兴 CN200720043380.2 5 2002.09.30 高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管 李海松;吴虹;孙伟锋; 易扬波;时龙兴 CN200720046401.6 6 2002.09.30 高压P型金属氧化物半导体管 孙伟锋;易扬波;夏小娟;徐申; 陆生礼;时龙兴 CN200620077465.8 7 2003.01.08 内置保护P型高压金属氧化物半导体管 孙伟锋;易扬波;李海松; 陆生礼;时龙兴 CN200620077466.2 8 2003.01.08 内置保护N型高压金属氧化物半导体管 易扬波;徐申;李海松; 孙伟锋;夏晓娟;李杰;时龙兴 CN200620165096.8 9 2003.01.08 横向缓冲P型金属氧化物半导体管 孙伟锋;李海松;李杰;易扬 波;徐申;夏晓娟;时龙兴 CN200620165095.3 10 2003.09.22 等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构及其制备方法 孙伟锋;夏晓娟;徐申;李海松;时龙兴 CN200620170898.8 11 2003.09.22 双栅高压P型金属氧化物半导体管 夏晓娟;谢亮;孙伟锋;陆 生礼;时龙兴 CN200620170899.2 12 2003.09.22 双栅高压N型金属氧化物半导体管 孙伟锋;易扬波;夏小娟; 徐申;陆生礼;时龙兴 CN200610041322.6 13 2004.06.24 多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管 孙伟锋;易 扬波;李海松;陆生礼;时龙兴 CN200610041323.0 14 2004.06.24 多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管 孙伟锋;奚 慎云;殷建强;潘振克 CN200820185417.X 15 2004.07.30 低功耗CMOS型高压驱动电路 易扬波;孙伟锋;李海松;李杰; 徐申;夏晓娟;时龙兴 CN200610098371.3 16 2004.07.30 低功耗CMOS型高压驱动电路 孙伟锋;李海松;李杰;易扬波; 徐申;夏晓娟;时龙兴 CN200610098372.8 17 2005.08.26 三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管 孙伟锋; 夏晓娟;徐申;李海松;谢亮;时龙兴 CN200710019476.X 18 2005.08.26 三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管 孙伟锋; 夏晓娟;谢亮;时龙兴 CN200610161588.4 19 2006.08.14 高压P型金属氧化物半导体管 易扬波;徐申;李海松;孙伟锋; 夏晓娟;李杰;时龙兴 CN200610098373.2 20 2006.08.14 高压N型金属氧化物半导体管 孙伟锋;吴虹;戈喆;易扬波;陆 生礼;时龙兴 CN200710021129.0 21 2006.08.14 高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 孙伟锋;夏晓娟; 徐申;李海松;时龙兴 CN200610161587.X 22 2006.08.14 高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 夏晓娟;谢亮;孙 伟锋;陆生礼;时龙兴 CN200610161589.9 23 2006.12.15 高压功率集成电路用少子环隔离结构 徐申;刘侠;孙伟锋;宋 慧滨;时龙兴 CN200710133994.4 24 2006.12.15 高压功率集成电路隔离结构 孙伟锋;华国环;李杰;易扬波; 陆生礼;时龙兴 CN200710135583.9 25 2006.12.15 厚栅高压P型金属氧化物半导体管 夏晓娟;谢亮;孙伟锋;易 扬波;陆生礼;时龙兴 CN200710134482.X 26 2006.12.15 高压功率集成电路用少子环隔离结构 李海松;吴虹;孙伟锋; 易扬波;时龙兴 CN200710133266.3 27 2006.12.15 厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 徐申;孙伟锋; 李杰;陆生礼;时龙兴 CN200810020652.6 28 2006.12.15 高压功率集成电路隔离结构 鲍嘉明;贾侃;李海松;孙伟锋; 陆生礼;时龙兴 CN200810019333.3 29 2006.12.28 CMOS基准源电路 李海松;钱钦松;孙伟锋;易扬波;陆生礼;时 龙兴 CN200810019332.9 30 2006.12.28 CMOS基准电压源 孙伟锋;庄华龙;吴虹;李海松;陆生礼;时龙 兴 CN200710191034.3 31 2006.12.28 输出电压可调式CMOS基准电压源 徐申;何晓莹;孙伟锋;陆生 礼;时龙兴 CN200810020973.6 32 2006.12.28 CMOS基准源电路 孙伟锋;夏晓娟;谢亮;冯娜;陆生礼;时龙兴 CN200810020660.0 33 2006.12.28 CMOS基准电压源 李杰;谢亮;夏晓娟;王磊;孙伟锋;陆生礼 CN200810019657.7 34 2006.12.28 输出电压可调式CMOS基准电压源 徐申;孙伟锋;高海翔;陆生 礼;时龙兴 CN200810024476.3 35 2007.01.26 红外焦平面读出电路 夏晓娟;谢亮;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 CN200810020795.7 36 2007.03.30 沟槽高压P型金属氧化物半导体管 李海松;吴虹;孙伟锋;易 扬波;时龙兴 CN200810020736.X 37 2007.03.30 沟槽高压N型金属氧化物半导体管及其制备工艺 孙伟锋;华 国环;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 CN200910024962.X 38 2007.09.26 等离子平板显示器驱动芯片结构 钱钦松;高 怀;刘 侠;庄华 龙;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 CN200910024952.6 39 2007.09.26 等离子平板显示器驱动芯片结构及其制备方法 孙伟锋;贾 侃; 吴 虹;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 CN200910024951.1 40 2007.10.26 一种开关电源输出电压的采样反馈电路 孙伟锋;夏晓娟;谢亮; 宋慧滨;陆生礼;时龙兴 CN200810124372.X 41 2007.10.30 一种基准电压源电路 夏晓娟;谢亮;孙伟锋;宋慧滨;陆生礼; 时龙兴 CN200810124380.4 42 2007.10.30 一种基准电压源电路 夏晓娟;谢亮;孙伟锋;陆生礼;宋慧滨; 时龙兴 CN200810124373.4 43 2007.11.13 CMOS型差分接口电路 钱钦松;高 怀;吴 虹;李海松;孙伟锋; 陆生礼;时龙兴 CN200910024963.4 44 2007.12.04 降低驱动芯片高压驱动电路功耗的方法及其低功耗高压驱动 电路 钱钦松;张 丽;孙伟锋;徐 申;陆生礼;时龙兴 CN200910030060.7 45 2008.01.04 高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 钱钦松;刘 侠; 孙伟锋;华国环;陆生礼;时龙兴 CN200910030066.4 46 2008.01.04 高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 孙伟锋;刘斯扬; 钱钦松;夏晓娟;陆生礼;时龙兴 CN200910030068.3 47 2008.02.19 一种自激振荡式大功率LED恒流驱动电路 谢 亮;夏晓娟;孙 伟锋;陆生礼;时龙兴 CN200910030321.5 48 2008.02.19 红外焦平面读出电路的单元电路 孙伟锋;祝 靖;钱钦松;宋 慧滨;陆生礼;时龙兴 CN200910030064.5 49 2008.02.22 抗电磁干扰低功耗高压驱动电路 夏晓娟;孙伟锋;金友山;谢 亮;陆生礼;时龙兴 CN200910026864.X 50 2008.02.27 焦平面的开窗口读出电路 夏晓娟;孙伟锋;杨 淼;谢 亮;陆 生礼;时龙兴 CN200910026865.4 51 2008.03.11 数据多路及顺/反向输出控制电路 孙伟锋;易扬波;时龙兴 CN02219093.7 52 2008.03.25 铅酸蓄电池充电方法及其充电器 时龙兴;吴建辉;陆生礼;孙 伟锋 CN02219092.9 53 2008.06.27 一种耗尽型MOS管稳定电压源 孙伟锋;李海松;陆生礼;时龙兴; 易扬波 CN200420078208.7 54 2008.06.27 耗尽型MOS管稳定电压源电路 孙伟锋;陆生礼;吴建辉;易扬波; 宋慧滨;时龙兴 CN200420062099.X 55 2008.06.27 耗尽型NMOS管稳定电压源电路 吴建辉;陆生礼;孙伟锋;时龙 兴 CN02112705.0 56 2008.08.01 点餐机 孙伟锋;胡晨;时龙兴 CN02112706.9 57 2008.09.04 一种断路器热记忆的电路 孙伟锋;易扬波;陆生礼;时龙兴 CN02138394.4 58 2009.02.27 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 孙伟 锋;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 CN02138393.6 59 2009.02.27 高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 时龙兴;孙伟锋; 易扬波;陆生礼 CN03112625.1 60 2009.02.27 高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 孙伟锋;易扬波; 陆生礼;宋慧滨;时龙兴 CN03112626.X 61 2009.02.27 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 孙伟 锋;陆生礼;易扬波;孙智林;时龙兴 CN03112627.8 62 2009.03.11 一种线性高动态范围红外读出电路 孙伟锋;易扬波;孙智林; 时龙兴 CN03158280.X 63 2009.03.30 减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管 孙 伟锋;陆生礼;刘昊;时龙兴 CN03158282.6 64 2009.03.30 超结纵向双扩散金属氧化物半导体管 孙伟锋;陆生礼;茆邦琴; 李海松;时龙兴 CN03158281.8 65 2009.03.30 减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管 孙 伟锋;陆生礼;吴建辉;易扬波;宋慧滨;时龙兴 CN200410041076.5 66 2009.03.30 N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管 孙伟锋;李海松; 陆生礼;时龙兴;易扬波 CN200410041564.6 67 2009.05.27 开关电源用电感电流感应电路 孙伟锋;时龙兴;易扬波;陆生 礼;桑爱兵 CN200510094030.4 68 2009.05.27 一种电感电流感应电路 孙伟锋;时龙兴;易扬波;陆生礼;宋 慧滨 CN200510094031.9 69 2009.06.18 一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路 孙伟锋;夏晓娟; 周杨帆;谢 亮;陆生礼;时龙兴 CN200910033324.4 70 2009.06.19 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 孙伟 锋;贾 侃;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 CN200910032751.0 71 2009.06.19 绝缘体上硅材料的平板显示器驱动芯片及制备方法 孙伟锋; 贾 侃;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 CN200910032750.6 72 2009.06.19 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 钱钦 松;刘斯扬;孙伟锋;徐 申;陆生礼;时龙兴 CN200910032752.5 (XYS20100507) ◇◇新语丝(www.xys.org)(xys4.dxiong.com)(www.xinyusi.info)(xys2.dropin.org)◇◇